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2SK3993
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10
8
6
V GS = 5.0 V
10000
1000
C iss
4
10 V
C oss
C rss
2
I D = 32 A
V GS = 0 V
0
Pulsed
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
T ch - Channel Temperature - °C
f = 1 MHz
100
0.01 0.1 1 10
V DS - Drain to Source Voltage - V
100
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
1000
30
12
100
10
t f
t d(off)
V DD = 12.5 V
V GS = 10 V
R G = 10 Ω
t r
t d(on)
25
20
15
10
5
0
I D = 64 A
(V DD = 5.0 V at I D = 56 A)
V DD = 20 V
12.5 V
5.0 V
V DS
V GS
10
8
6
4
2
0
0.1
1
10
100
0
20
40
60
80
100
I D - Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
1000
V GS = 10 V
100
1000
100
Q G - Gate Charge - nC
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
di/dt = 100 A/ μ s
V GS = 0 V
10
0V
1
10
0.1
Pulsed
0.01
1
0
0.5
1
1.5
1
10
100
V F(S-D) - Source to Drain Voltage - V
Data Sheet D17322EJ2V0DS
I F - Diode Forward Current - A
5
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